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来源 :北京大学 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
随着集成电路的不断发展,对集成电路器件的设计提出了更高的要求。一方面,不断减小的器件尺寸使得传统器件结构发生改变,出现了SOI器件、FinFET器件和纳米线器件,这些器件结
【作 者】
:
林增明
【机 构】
:
北京大学
【出 处】
:
北京大学
【发表日期】
:
2012年期
【关键词】
:
纳米尺度器件
自加热效应
散热途径
围栅硅材料
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