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GaN作为第三代半导体材料的典型代表,其研究备受瞩目,被认为是制造蓝光二极管和大功率光电子器件最理想材料。由于GaN纳米材料具有许多明显不同于其块体材料的独特性质,以及在可见光和紫外光光电子器件方面具有广泛的应用前景,近年来对低维GaN纳米材料的研究越来越受到人们的关注,并逐渐成为纳米材料领域的研究热点。但是,目前对GaN纳米材料的合成工艺、微观结构等方面的研究还处在一个初级阶段。因此在这方面非常有必要进行较为深入的研究。本文选用价廉的原料Ga2O3为镓源、NH3作为氮源、H2为还原气体、N