石墨烯被认为是半导体领域未来理想的候选材料,因为它具有高达200,000cm2V-1s-1的载流子迁移率以及优异的化学稳定性。自2004年首次被成功制备以来,已经有大量的工作研究了石墨烯纳米结构及石墨烯电子器件的加工制备及输运性质。本论文也在这些方面做了一些探索,主要集中在:　　 1,发展了一种制备zigzag边缘石墨烯纳米结构的方法。该方法包含两个主要步骤:人工缺陷的制备和氢等离子体刻蚀。利用这种方法,我们成功制备出了多种具有zigzag边缘的石墨烯纳米结构,例如宽度在10nm以下的石墨烯纳米带、三角形石墨烯量子点、石墨烯超晶格等。该方法为研究zigzag石墨烯纳米结构丰富的物性开辟了一条道路。　　 2,测量了小于10nm宽度的zigzag边缘石墨烯纳米带的电输运性质。室温下的测量发现,该zigzag边缘石墨烯纳米带的载流子迁移率相比于同样宽度的不规则边缘的石墨烯纳米带高出了一个数量级。低温下的测量发现,该纳米带存在输运带隙。　　 3,设计加工出一种基于悬浮石墨烯的电机械开关器件。这种电机械开关以悬浮石墨烯为活动部件,通过对其施加静电力来调控悬浮石墨烯的位置,进而改变开关状态。该器件的开关比约为104,并成功工作了超过500个周期。该器件的成功制备证实了石墨烯在纳机电系统中应用的可行性。