【摘 要】
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该论文利用射频磁控共溅射技术成功地制备了尺寸、膜厚可控的及不同体积分数的GaSb-SiO纳米复合薄膜.这一研究,过去文献上未见报导.对该薄膜的物性测试结果表明:纳米GaSb具有
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该论文利用射频磁控共溅射技术成功地制备了尺寸、膜厚可控的及不同体积分数的GaSb-SiO<,2>纳米复合薄膜.这一研究,过去文献上未见报导.对该薄膜的物性测试结果表明:纳米GaSb具有奇特的Raman特性,纳米GaSb的Raman峰与其体材相比发生了很大的红移(大约94cm<-1>),用声子限域理论和张应力效应对Raman峰红移和宽化作了定性和半定量估算分析.这一物理现象文献上未曾报导过,受到J.Grystal Growth,Applied Surface Science及Thin Solid Films等国际期刊的重视.该薄膜具有较大的三阶非线性吸收系数(大约7.8*10<-9>esu).这是由于量子限域效应诱导的非线性增强机制所引起的,这一实验结果,得到了国内外有关专家的肯定.GaSb-SiO<,2>复合薄膜的光吸收谱、漫反射谱和光致发光谱的实验结果表明:与GaSb体材相比,吸收边和发光峰发生了较大的蓝移,用有效质量近似模型对吸收边蓝移进行了定量计算,其结果与实验数据基本一致,证实了量子限域效应所起的作用.
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