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SiCp／Al复合材料由于具有较低的密度，高的热导率以及低的、可调的热膨胀系数成为电子封装材料研究的热点。目前制备SiCp／Al复合材料的方法主要有粉末冶金法和渗透法，但都存在缺点：粉末冶金方法中SiC含量存在一定局限，一般不超过55vol％，限制了材料热膨胀系数的降低；渗透法温度较高会发生界面反应，生成脆性相，对材料性能产生有害影响，残余气孔及粘结剂会影响材料导热性能。 鉴于上述SiCp／Al复合材料的制备方法都存在一定缺陷，本文采用放电等离子体烧结方法（SPS）烧结制备SiCp／Al复合材料。 首先，通过低体积分数SiCp／Al复合材料的制备，初步探讨了烧结过程中温度、压力及升温速率对材料制备的影响，证实了运用SPS技术制备复合材料的可行性。 其次，采用颗粒级配的方法，成功制备出SiC含量为65vol％、致密度为99％以上的SiCp／Al复合材料。对复合材料热性能测试发现SPS烧结制备的复合材料，热导率均在200w／m·K以上，与国外先进水平相当，完全满足电子封装材料要求，但材料热膨胀系数与其它制备方法的热膨胀系数有一定差距；同时发现SiC颗粒尺寸对材料热性能有较大影响，大尺寸SiC颗粒在降低材料热膨胀系数上所起作用优于小尺寸SiC颗粒，小尺寸颗粒在材料制备过程中主要起填充作用，以实现材料致密化，而材料热导率随大尺寸SiC含量增加而增大，但由于实验选取较大尺寸的SiC颗粒，也使材料强度受到一定影响。 再次，为了进一步降低材料热膨胀系数，我们引入Si改变基体合金，通过烧结工艺的调整，制备出不同Si含量的60vol％SiCp／A1-Si复合材料。对材料进行热性能分析，发现Si的加入较大程度地降低了材料热膨胀系数，在Si含量为10vol％时，热膨胀系数降低至7.8×10-6／℃，但热导率略有降低；对材料进行了断裂韧性测试，发现随Si含量增加，材料脆性增加。综合考虑材料热物理性能、力学性能和加工性能，我们认为对于60vol％SiC增强Al基复合材料，Si含量为5vol％左右时最合适。 另外，通过对烧结中间过程的分析，初步探讨了SPS烧结SiCp／Al复合材料的机理。从整个烧结过程来看，较大的压力使球形铝粉受到挤压，在焦耳热