深红光CuInS2-xSex@CuGaS2核壳结构量子点的制备与性能研究

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在Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点中,特别是铜基量子点不仅具有绿色环保无毒的优点,还具有制备工艺简单、成本较低、荧光性能优良、发光寿命长等优势,在发光二极管、太阳能电池、生物成像等多个应用领域具有广阔的前景,但其红色荧光性能还需要进一步提高来满足其实际应用。本论文通过控制反应条件在CuInS2体系中掺杂Se2-,得到了CuInS2-xSex四元量子点;通过S2-和Se2-阴离子交换实现了CuInS2-xSex四元量子点,并且研究了反应过程中离子交换过程。最后通过包覆工程实现了核量子点的表面缺陷钝化,提升了荧光性能,得到了深红光的CuInSSe@Cu Ga S2核壳量子点。主要工作如下:(1)使用一锅法,在210℃下通过不同Se2-掺杂合成了CuInS2-xSex量子点,并对其晶格结构、形貌和荧光光谱及吸收光谱进行了分析。研究表明,掺杂不同含量Se2-的样品呈现黄铜矿结构,晶粒分散性好且径粒尺寸分布均匀。在450nm的激发光下,随着Se2-掺杂含量的增加,荧光发射波长逐渐红移,实现对红光的调控。(2)为了探究不同方法对合成的影响,我们采用高温注射法将不同浓度的Se前驱体注射进入CuInS2中形成CuInS2-xSex量子点,随着Se2-注射浓度的增加,CuInSSe量子点的形貌和晶体结构没发生变化,均为正四面体黄铜矿结构,并保持良好的结晶性能。引入Se2-与S2-发生离子交换,荧光光谱明显红移。分析发现,量子点中形成了缺铜富铟的元素分布,Se2-与S2-交换不完全,即使Se2-浓度过量也不能促进Se2-完全交换。保持Se前驱体注射浓度为1mmol,分析了反应时间对CuInSSe量子点的影响,实验发现随着反应时间的增长,CuInSSe量子点的晶粒尺寸几乎保持不变,晶体结构为正四面体黄铜矿结构,荧光发射峰红移,位于825nm的次峰强度逐渐增大。在Se2-与S2-阴离子交换过程中,CuInSSe量子点中Se2-的含量先增大后保持不变,并且S组分中两个组分中配体组分增加,此时Se2-与S2-阴离子交换保持动态平衡。(3)合成了CuInSSe@CuGaS2核壳量子点。在上述工作的基础上,将合成的CuInSSe量子点作为核,将其注入到一定浓度的Cu Ga S2前驱液中,通过调节核的注射含量调控外延壳的厚度,随着注射核含量的减少,在核表面生长Cu Ga S2外延壳的厚度会逐渐增加。分析表明,CuInSSe核和Cu Ga S2壳均为黄铜矿结构,CuInSSe@Cu Ga S2核壳结构量子点具有良好的分散性,并保持正四面体的形貌且径粒分布相对均匀。随着核注射含量的减少,CuInSSe@Cu Ga S2核壳量子点的PL发光峰逐渐蓝移,荧光强度增强。通过时间分辨光谱测试可知,包覆后能够钝化核表面的缺陷,减少非辐射弛豫,增强辐射弛豫,从而改善量子点的发光性能。全文共插图29幅,表7个,参考文献81篇
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