绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）作为当下电子电路应用的核心器件,被广泛应用于汽车、铁路、家电、通信及航空航天各个领域。IGBT使用极大地提高了电力电子系统的性能。IGBT的发展一直在致力于优化其导通压降V_ce（on）与关断损耗E_off之间的折中关系以及导通损耗E_on与续流二极管（FWD）反向恢复时dV_AK/dt的折中关系,本文致力于优化IGBT的这两种折中特性提出了两类IGBT新结构,主要内容如下:1、提出的第一类IGBT为集成PMOS的沟槽IGBT结构,包括集成PMOS的超级基区IGBT（PSBL IGBT）结构与集成PMOS的GGEE type IGBT（PGE IGBT）结构。PSBL IGBT结构在器件内部集成了PMOS结构,不仅改善了器件的导通特性与耐压特性,同时在相同的导通压降V_ce（on）下,使得器件关断损耗E_off相比于传统结构降低了72.7%,相同的导通损耗E_on下,续流二极管反向恢复时的dV_AK/dt相比于传统结构降低了17%。PGE IGBT器件内部集成了PMOS结构,使得PGE IGBT相比于传统结构C_rss降低了39.0%,在相同的导通压降V_ce（on）下,关断损耗E_off降低了61.8%。2、提出的第二类IGBT为具有分离栅结构的IGBT。首先分析了分离栅结构在600V以及1200V耐压级别下在有无N型载流子存储层的IGBT结构中应用的区别,分离栅结构底部厚的氧化层可以降低沟槽底部电场集中从而提高器件的击穿电压并降低器件的密勒电容提高器件的开关速度,但是分离栅的低电位使其侧壁的N型硅无法在器件导通时形成积累层从而增大了器件的导通压降,因此需要N型载流子存储层的高掺杂浓度来消除影响。提出了一种集成PMOS的分离IGBT（PSG IGBT）结构,其不仅提高了器件的击穿电压,同时减小了器件的密勒电容,最终,新结构相比于传统结构C_rss降低了99.7%,在相同的导通压降V_ce（on）下,关断损耗E_off相比于传统结构降低了79.1%,在相同的导通损耗E_on下,续流二极管反向恢复时的dV_AK/dt相比于传统结构降低了40.2%。