【摘 要】
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该文简述了SiC高压肖特基垫垒二极管的正向特性与发展现状,利用器件模拟软件MEDICI对4H-SiC高压肖特基垫垒二极管的正向特性和阻断特性进行了分析;对中性离子注入高阻终端与
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该文简述了SiC高压肖特基垫垒二极管的正向特性与发展现状,利用器件模拟软件MEDICI对4H-SiC高压肖特基垫垒二极管的正向特性和阻断特性进行了分析;对中性离子注入高阻终端与金属场板终端进行了模拟讨论;提出并模拟分析了用于SiC器件的多区阶梯掺杂的边缘终端结构,得到了接近理想平行平面结的击穿电压;根据目前对SiC研究的最新成果,对MEDICI中的SiC模型参数进行了修正,建立了相应的器件模型,可以用MEDICI模拟结果真实地反映SiC肖特基二极管正向电流电压特征.
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