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该文比较详细地论述了新型静电场传感器的工作原理,对ICVDMOS-AMP器件进行了理论解剖,从器件的内部结构电容特征为出发点论述了器件具有存储电荷的能力;从而找到对ICVDMOS器件充电预置工作偏压的理论依据.并从器件的输入电荷曲线上选择了合适的工作点使传感放大器工作在灵敏的线性动态范围内.该文也给出了带电体与传感探极的等效电路及解析表达式;同时给出传感放大器工作状态方程.经过实验测试,表明理论分析与实验结果是一致的.