自铁基高温超导体的发现以来，世界上很多实验组从不同方面对这一体系超导样品进行研究，使得我们对铁基超导体有更深的认识。近几年，随着实验上的突破和深入，在很多铁基超导样品中都观测到了电子液晶相的存在。（电子液晶相，是指电子定向序固有旋转对称性被破坏，宏观表现出的一种行为。）并且发现的液晶相与超导相相离很近，这一现象引起了我们极大的兴趣。　　在这篇毕业论文中，我们应用转矩磁扭矩的测量手段对铁基超导体EuFe2(As1-xPx)2的液晶相在无压力的情况下进行研究。四种不同P掺杂的样品测量发现液晶相在结构相变Ts以上，一直持续到超导的最佳掺杂区域，而随着掺杂量的继续增加液晶相变得很弱，在过掺杂样品中甚至消失。我们也将实验结果与之前德国实验组热电势的测量比较讨论。并且根据实验数据相图对液晶相与超导相的关系进行分析。　　在文章的第五章，介绍了新发现的超导体Nb2PdS5(Tc~6K)强上临界场的研究。我们用Pt元素和Ni元素在母体样品中掺杂，来研究样品超导性的变化，更主要关注其上临界场Hc2的变化。与之前Se元素在S位替代的实验相比，Pt元素和Ni元素在一维Pd链的掺杂导致Tc下降更加明显。上临界场Hc2/Tc比值在Se元素掺杂的样品中基本保持不变，对应于在重元素Pt的掺杂下有显著的提高，而在相对较轻的Ni元素掺杂下有被镇压的趋势。由此实验结果得出系统的上临界场可以通过不同原子质量的元素在Pd链的化学掺杂进行调控。这样的结论也符合Pd位的自旋轨道耦合是其具有超过泡利极限强上临界场的主要因素之一。在文章最后我们也讨论了其他因素对上临界场的影响。