本文研究开发具有自主知识产权的可用于0.18-0.13μm集成电路用200mm硅抛光片及外延片的产业化技术，针对200mm硅片产品制备过程中的关键工艺技术进行了系统性的研究和实验分析，突破了技术瓶颈，成功制备出符合ITRS标准的200mm硅抛光片及外延片并实现批量供应。本文的内容安排如下:　　第一章阐述了200mm单晶硅生长工艺与技术开发，主要包括单晶炉的热场设计、掺杂工艺、以及化料、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等一系列单晶生长工艺的开发。　　第二章阐述了200mm低COP退火硅抛光片制备技术，分析了在不同退火条件下硅片表面COP的消除能力，阐释了H2快速退火消除硅片表面COP的机理。　　第三章阐述了200mm高平整度硅抛光片的制备技术，分析了硅片加工流程中各工序前后硅片的Bow和Warp变化规律，提出了硅片控制翘曲度的方法。自主研发了硅片刷片装置，解决了背封硅片表面dimple导致的局部平整度问题。　　第四章阐述了200mm硅外延片表面失配位错与Slip消除技术，利用锗硼共掺衬底解决了p/p+硅外延片表面的失配位错难题。利用离子注入校温技术，对200mm硅外延片生长炉内的温度分布进行表征，通过调整外延炉上下和内外功率分配比例，实现对200mm硅外延片边缘Slip的消除。　　第五章为全文结论。