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金属氧化物半导体及其复合物作为催化材料用于有机污染物的降解已成为材料研究者的一大研究热点,三氧化钨(WO3)作为半导体材料的一种,具有较合适的带隙宽度,优异的光化学稳定性,无毒且环保等优点,能够被开发为光催化材料。在制备催化材料的过程中,贵金属掺杂一方面通过等离子共振(SPR)效应能够提升材料自身的吸光能力,另一方面贵金属的引入利于Z型异质结构的构建从而有效地抑制半导体中电子(e-)和空穴(h+)的复合。本论文探究了 W03基Ag系复合材料的制备过程、物相结构、催化活性及机理,本着以材料开发和实际应