半导体纳米晶由于其独特的光电性质受到研究者的广泛关注。在过去的几年里,研究者主要集中在纳米晶的合成与性质研究方面。近年来,随着科技的发展,半导体纳米技术愈加成熟,诸多半导体已经在现实生活中得到了广泛的应用,其中最为普通的半导体纳米晶是II-VI和III-V族。除了典型的主族半导体,近年来,多元组分半导体纳米晶也走入了人们的视野。而随着半导体纳米晶发展越来越迅速,对半导体纳米晶的定量已经十分重要。而吸光光度法在半导体纳米晶领域的运用为其定量分析铺平了道路。基于此,本论文作了如下研究:1.首先研究了多元体系半导体纳米晶的消光系数。合成了尺寸分布均一、粒径可调的Cu In S2和Cu In Zn S3纳米粒子以及单分散的Ag In S2纳米粒子,通过尺寸和吸收带边的一一对应关系,根据朗博比尔定律,用实验的方法给出了Cu In S2和Cu In Zn S3多元纳米晶材料的消光系数与尺寸的关系曲线,为纳米晶的定量分析提供了数据基础。2.以多元纳米晶如Cu In S2、Cu In Zn S3和二元Cd Se纳米粒子为模型体系,通过制备不同尺寸立方闪锌矿结构和六方纤锌矿结构的Cd Se、Cu In S2和Cu In Zn S3纳米粒子,根据朗博比尔定律,实验开展了不同晶体结构的纳米晶消光系数的研究。实验表明:不同晶体结构的纳米晶的消光系数显示出微小的差别。其变化规律是在小尺寸纳米晶时候,晶体结构对消光系数影响较小。随着纳米晶尺寸增大,不同晶结构的纳米晶消光系数差别逐渐增大。3.我们对核壳结构半导体纳米粒子消光系数的变化规律进行了研究。我们分别以Cd Se/Cd S和Cd Se/Zn S为模型,研究了不同壳层厚度、不同核尺寸条件下的消光系数,最终得到了核壳纳米粒子消光系数随壳层厚以及核尺寸的变化规律。核壳纳米晶消光系数研究,为纳米晶进一步应用提供数据支撑。4.在得到了多元半导体纳米粒子的消光系数之后,我们对二元(Cd S和Zn S)、三元(Cu In S2)和四元(Zn Cu In S3和Cd Cu In S3)纳米晶消光系数之间的关系进行了系统研究。通过二元线性回归分析将不同组成的多元纳米粒子的消光系数建立起了联系。多元纳米晶消光系数之间关系研究,进一步加深对材料物理化学性质的理解,为多元纳米材料的研究提供实验基础。