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氧化锌(ZnO)是一种新型半导体功能材料，属于第Ⅱ-Ⅵ族化学物，呈六方纤锌矿结构，直接宽带隙3.37eV，束缚激子结合能60meV。对于一维的氧化锌纳米材料，具有其它材料不具备的优异性能，广泛地用在传感器，激光材料、光电子器件以及新型场效应管、纳米发电机和太阳能电极材料上。因此近年来对它的制备和性能研究成为纳米材料界的热点。本论文以氧化锌纳米材料的制备方法为研究内容，介绍了固体核径迹技术原理及应用，在此原理上制备了重离子径迹模板，并结合电化学沉积方法制备出了准一维的氧化锌纳米材料。主要内容如下：
1、使用SRIM2000计算了不同重离子以不同能量在Kapton膜、聚碳酸酯(PC)膜内的能损与射程，为HI-13串列加速器提供高能重离子辐照样品提供理论依据。计算结果：能量160MeV的32S满足本实验设计的辐照条件。
2、重点介绍了固体核径迹技术原理及发展与应用，为制备出高性能的重离子径迹模板提供理论依据，同时也为正交试验设计提供科学指导。
3、采用既可以减少试验次数，又能权衡各个因素的正交试验方法进行化学蚀刻，探索出了最佳的蚀刻条件：n=6.25mol/L的NaOH溶液，T=333K的恒温浴，t=10～12min的蚀刻时间。同时也分析了蚀刻条件对蚀刻径迹孔的影响。
4、使用真空蒸发和电镀的方法，在已经制备好的重离子径迹模板同一面上，镀上180nmAu、25μmCu做支撑纳米线阵列生长的衬底材料和电化学沉积实验的电极材料。
5、利用两电极系统在重离子径迹模板内电化学沉积氧化锌纳米材料，并用CH2Cl2溶液溶解PC膜。目的为摸索出能使结晶最好的电化学沉积实验条件，我们找出的实验条件是：超纯水配制5mmol/LZnCl2、0.1mol/LKC1、6mmol/LH2O2,U=1.5V,I=10mA，t=1.5h。
6、采用SEM、EDX、XRD等方法对所制备的ZnO纳米材料进行表征分析，发现所制备的ZnO纳米材料具有纯度高、呈圆柱形、表面较光滑，直径300～600nm，结晶粒径约30nm，具有六方纤锌矿结构，无优先生长方向，晶格常数a=0.32492nm，c=0.52052nm。