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本文采用触媒CVD方法，在单晶Si和石英衬底上制备出纳米立方SiC(β-SiC)薄膜。通过控制参数，在较低的衬底温度下成功获得出(111)择优取向的纳米薄膜。在本工作中，着重研究了主要工艺参数对纳米β-SiC薄膜生长特性的影响。实验结果表明：随着工作气压的减小，薄膜的晶粒尺寸有所减小；通过提高氢气稀释度，利用原子氢在成膜过程中起的刻蚀作用，可以稳定结晶相并去除杂相；选择适当的热丝距离能保证反应气体充分分解，又使衬底具有较高的过冷度，是形成纳米薄膜的重要条件；采用分步碳化法可以提高形核密度，有利于获得