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本文首先建立了一个SOI MOSFET器件的直流漏电流模型和阈值电压模型，模型考虑了速度饱和效应。通过计算得到器件输出特性，将结果与实验数据比较，直流模型的准确性得到验证。以直流模型为基础，通过求解沟道传输方程的方法，解出了四端小信号电流的一般表达式，进而的到SOI MOSFET的小信号电流以及四个本征y参数表达式，通过模型计算也得到了器件的本征电流增益和单向功率增益。通过将采用本模型计算得到的本征电流增益和单向功率增益与文献的结果比较，证明本文推导的高频小信号模型是准确的。利用本高频模型分析了几个重要的结构参数包括栅长、栅宽、掺杂浓度、栅压和漏压的变化对SOI MOSFET高频特性的影响，说明了各个参数的变化对器件频率特性的影响。最后通过对SOI MOSFET的瞬态性能包括对延迟时间、上升时间的分析，进一步探讨了提高SOI MOSFET高频性能的途径。