激光作为一种热源,由于其具有的瞬态非平衡能量输出机制以及作用在材料时的超快加热效应,近几年在纳米材料的制备中已有所应用。当激光照射材料时,在激光作用的三维空间内,激光能量呈现出一定的梯度分布,使得在激光束作用下的粉体材料处于一个梯度温度场内,为材料的合成提供了条件。本文以激光为热源,以SiC纳米颗粒材料为前驱体,进行了激光照射下SiC纳米颗粒原位生长晶须的试验,探索SiC晶须在激光照射下稳定生长的条件及其生长过程。所完成的工作主要有:1.分析了平行光斑照射层的能量场。将激光输出模式TEM01简化成TEM00基模,建立了高斯分布的激光能量场模型。2.对垂直光斑照射层进行温度分析,建立了温度场。3.采用被照射表面与光斑垂直的方式进行SiC纳米颗粒激光照射试验。对样品进行扫描电镜分析,探索晶须的生长过程及晶须的生长条件。4.在一定的激光参数下,比较未加粘结剂样品和添加粘结剂样品的晶须生长情况,进而分析了粘结剂对晶须纯度、生长形貌和数量的影响。