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本文以实现制备纯相的Tl2Ba2CaCu2O8高温超导薄膜为目的。在对国内外超导科学研究现状进行了深入分析的基础上，对超导薄膜制备中的各个环节进行了研究。本文采用射频磁控溅射法在LaAlO3(001)单晶基片上制备了BaCaCuO非晶前驱物薄膜，然后将前驱物薄膜进行非原位铊化处理，制备了Tl2Ba2CaCu2O8高温超导薄膜。在溅射沉积前驱物薄膜的过程中，研究了靶材成分对薄膜性能的影响；铊化后处理过程中，研究了Tl2O分压和铊化温度对Tl2Ba2CaCu2O8高温超导薄膜相组成及其性能的影响。运用X射线衍射的θ-2θ扫描对薄膜的相组成进行了分析；采用SEM和EDX分别对薄膜的表面形貌和成分组成进行了分析；采用标准的四引线法测量了超导薄膜的临界转变温度。研究结果表明，采用成分为Ba2Ca2Cu3Ox的靶材制备的薄膜性能要优于成分为Ba2CaCu2Ox的靶材；使用组成式为Tl1.9Ba2Ca2Cu3Oy的铊片做铊源时，形成的Tl2O分压达到最佳值；在最佳Tl2O分压和最佳铊化温度750℃的条件下，制备出了纯相完全c轴取向的Tl2Ba2CaCu2O8高温超导薄膜，其Tc0高达107 K，膜面均匀平整光滑，呈圆片状组织；偏离最佳制备工艺参数的条件下，制得的薄膜中都含有一定量的杂相，杂相的生成使得Tc0值下降，薄膜表面质量下降，薄膜组织形貌发生变化。