氮化镓（GaN）是一种具有优越化学性质和热稳定性的宽禁带半导体材料，这种材料及其相关器件能够工作在高温、高辐射等恶劣环境中，并可以用于大功率微波器件等。最近几年，随着GaN蓝光LED的成功研制，GaN已经成为了化合物半导体领域中最热门的研究课题，同时也为GaN纳米线的发展和应用提供了广阔的空间，很多研究人员对GaN纳米线进行了广泛的研究探索。本文采用MOCVD和HVPE方法，利用金属薄膜催化，在不同的实验条件下分别生长出具有不同特性的GaN纳米线。通过对样品进行多种表征测试，分析了产物的晶向和结构，探讨了MOCVD法制备氮化镓一维纳米材料生长机制与影响因素。1）使用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上生长出垂直于衬底的氮化镓纳米线。样品通过SEM、XRD、Raman、PL等设备表征发现，所获得GaN纳米线是非极性GaN，具有高密度、垂直生长和三角形截面等特点。PL谱中没有黄带发光峰，可用于制作LED等器件。GaN纳米线的生长属于VLS生长机制。探讨了温度和催化剂薄膜厚度对r面蓝宝石衬底上生长非极性GaN纳米线的影响。2）使用MOCVD设备在a面蓝宝石衬底上生长出平行于衬底的氮化镓纳米线。样品通过XRD、SEM、Raman、PL等设备表征，发现所获得的GaN纳米线属极性GaN纳米线，生长速率非常快，达到几十微米每小时，长度远高于已报道的同类方法生长结果。GaN纳米线的生长属于VLS生长机制。探讨了不同衬底和催化剂种类对氮化镓衬底上生长极性GaN纳米线的影响。3）使用HVPE设备在蓝宝石衬底上制备了GaN纳米线。通过改变氨气流量，衬底种类和催化剂种类，对生长工艺进行优化，获得了最佳的生长条件：r面蓝宝石衬底，生长温度为700℃，5nmNi薄膜作为催化剂，氨气流量为1.2slm。