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该论文主要进行的研究内容以及目前取得的主要研究结果有以下方面:□ZnSTe合金;研究了四块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.005到0.031)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的两块样品观察到两个发光峰,分别来自Te<,1>和Te<,2>等电子陷阱;而对Te组分较大的两块样品则只观察到一个来自Te<,2>等电子陷阱的发光.对Te组分为0.031的样品在常温下还观察到来自Te<,3>等电子陷阱的影响.我们还研究了这些发光峰在低温15K下的流体静压压力行为.观察到与Te<,1>有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te<,2>有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te<,1>中心有较大压力系数的主要原因;而Te<,1>和Te<,2>中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的.研究了ZnS<,1-x>Te<,x>(0.02≤x≤0.3)合金的静压光致发光谱.每块样品都观察到一个峰值比相应合金带隙低很多的发光峰,来源于束缚在Te<,n>(n≥2)等电子陷阱上的激子复合发光,且随压力(0~7.0GPa)而蓝移.发光峰的压力系数比相应合金带边的都要小,随着Te组分的增加而减小,与合金带隙的压力系数的差别也越来越大.由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量,与发光峰有关的吸收效率降低,发光峰积分强度随着压力增加而减小.据此估算了Te<,n>等电子中心的Stokes位移.发现Stokes位移随着Te组分的增加而减小.进一步测量了液氮温度下ZnS<,1-x>Te<,x>合金0.30≤x≤0.75样品的静压光致发光谱.综合研究了较大范围内ZnS<,1-x>Te<,x>合金发光峰的性质.对于x≤0.031的样品,Te等电子杂质还没有与基体价带相互作用,因此Te等电子杂质态的发光具有局域特性,它们的峰值位置及压力系数都不随组分变化.x≥0.08以后与Te有关的局域态与基体价带相互作用增强,两者混和形成具有局域-非局域双重性质的类Te局域态和新的价带.这以后ZnS<,1-x>Te<,x>合金的发光峰来自类Te局域混和态,随着组分增加,该态中来自价带的扩展成份增加,发光峰逐渐向带边靠拢.对于0.08等电子原子团,使得局域势随压力变化的影响随之增大的结果;随着Te组分进一步增大,合金发光峰压力系数变化不大,略有增加,是由于Te原子团大小趋于稳定,而Te局域态中扩展态成份有所增加的结果.□ZnSe:Te-CdSe/ZnSe超晶格量子阱;测量了ZnSe<,0.92>Te<,0.08>/ZnSe/(CdSe/ZnSe)超晶格量子阱材料在77K时0~7.8GPa静压下的光致发光谱.观察到ZnSe<,0.92>Te<,0.08>阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光.发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50％,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的.还观察到了激子在ZnSe<,0.92>Te<,0.08>阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻(CdSe)<,1>/(ZnSe)<,3>短周期超晶格之间的转移现象.□GaNAs/GaAs量子阱;在15K和0-9GPa静压范围下测量了GaN<,0.015>As<,0.985>/GaAs量子阱的光致发光谱.观察到了GaNAs阱和GaAs垒的发光,发现GaNAs阱发光峰随压力的变化比GaAs垒发光峰要小很多.当压力超过2.5GPa后还观察到了与GaAs中的N等电子陷阱有关的一组新发光峰.用二能级模型及测得的GaAs带边和N等电子能级的压力行为计算了GaNAs发光峰随压力的变化,但计算结果与实验结果相差甚大,表明二能级模型并不完全适用.对观察到的GaNAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论.