通过电子束的诱导原位生长了银纳米线和铜纳米线，通过系统的形貌观察和分析，认为可以通过电子束强度的变化来控制单晶纳米线的生长，利用高分辨电子显微分析和电子能量损失谱研究了纳米线的微观结构和化学成分。通过实验结果分析，指出拥有微孔的三维孔道结构是金属离子在分子筛孔道中迁移的关键，对纳米线的生长具有决定性影响。进一步研究提出了纳米线的生长机制，银纳米线的形成靠硝酸根提供电子，而铜纳米线的形成则通过自身的歧化反应得以实现。　　 通过简单的水热过程，制备了掺入各种过渡金属离子的钛酸纳米管，详细分析了反应条件对产物的影响，利用透射电镜、高分辨电子显微术、电子能量损失谱、X射线衍射等分析手段研究了纳米管的形貌、酸稳定性、热稳定性和结构。通过本组的第一原理计算与实验结果相结合，提出了掺杂钛酸纳米管的结构模型，认为过渡金属离子应该存在于纳米管的层间。光学性能分析表明掺入一些过渡金属离子(如铁离子、镍离子)后纳米管的光吸收性能将有大幅度的改善。　　 通过水热过程直接制备了掺镍的钛酸钾梭形纳米体和含铁的钛酸钾纳米线，利用电子能量损失谱、X射线衍射等分析纳米线的成分，结构。结果显示梭形纳米体是一种新的纳米形态。