【摘 要】
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该文分两部分:第一部分:溶胶-凝胶法制备低介电常数掺氟SiO薄膜:这一部分先研究了以正硅酸乙酯为前驱物利用溶胶-凝胶法制备纯SiO介电薄膜;探讨了溶胶配比包括水的比例以及pH值
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该文分两部分:第一部分:溶胶-凝胶法制备低介电常数掺氟SiO<,2>薄膜:这一部分先研究了以正硅酸乙酯为前驱物利用溶胶-凝胶法制备纯SiO<,2>介电薄膜;探讨了溶胶配比包括水的比例以及pH值对制备薄膜水解缩聚及凝胶化的影响,测量了溶胶-凝胶法制备SiO<,2>薄膜中提拉速度和薄膜厚度的关系,研究了退火时间和退火温度对SiO<,2>薄膜介电性能的影响,并测量了外电场频率和薄膜介电常数的关系.然后将自行合成的含氟有机物多氟代季戊四芳醚(Tetraplyflluoroaryl Ether,简单COF1)掺入SiO<,2>溶胶,制备了掺氟二氧化硅(SiOF)薄膜,讨论了掺杂氟元素降低介电常数的机理,测量掺氟量和SiOF薄膜介电性能的关系,对SiOF薄膜进行了二次离子质谱(SIMS)分析和交流特性测试,并对薄膜表面形貌进行原子力显微镜(AFM)的表征扫描.第二部分:二氧化钛薄膜及杀菌陶瓷的的制备和特性研究:这一部分研究了溶胶-凝胶法制备纳米二氧化钛薄膜、锐钛矿浆料制备二氧化钛杀菌陶瓷以及用溶胶-凝胶法制备TiO<,2>/SiO<,2>复合薄膜杀菌陶瓷.第一章对二氧化钛的晶型、机理、应用及仍存在的问题进行了概述;第二章研究了溶胶-凝胶法制备光致SiO<,2>薄膜,探讨溶胶配比及工艺对光致SiO<,2>薄膜的性能影响;第三章研究了利用锐钛矿型二氧化钛浆料及无机黏结剂如低温釉和硅胶制备杀菌陶瓷,分别探讨了退火温度、黏结剂与锐钛矿浆料比例等条件对薄膜性能的影响,测试了薄膜对洗涤剂、腐蚀剂和消毒剂的抵抗能力,并用沸水蒸煮对薄膜同基底结合牢度进行了测试;第四章研究了利用溶胶-凝胶法制备TiO<,2>/SiO<,2>复合薄膜,研究了溶胶配比、退火温度、退火时间以及薄膜厚度对薄膜光致特性的影响,测量了薄膜分解亚甲基蓝的吸收度曲线,并与锐钛矿浆料方法制备的杀菌陶瓷进行了亚甲基蓝分解比较.
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