氧化镓(Ga2O3)禁带宽度为4.9 e V,紫外吸收边对应为253 nm,是天然的深紫外探测材料,已然成为光电领域的研究热点。近年来,消费者对智能化便携式可穿戴设备、智慧医疗等领域的需求激增,使柔性光电传感器件迎来了新的发展机遇。然而,现报道的Ga2O3基紫外探测器多数是在刚性衬底(如:Al2O3、Si、FTO等)上制备的,此类器件无法弯曲,限制了其在柔性光电场景中的应用。尽管已有柔性衬底上生长
氧化镓(Ga2O3)半导体是一种新型的宽禁带半导体材料,其宽达4.9 e V的带隙对应于波长250 nm紫外区域,是一种天然的日盲探测器材料。但是由于其带隙宽度太大,对应的紫外探测波段范围较小,因此限制了Ga2O3的应用前景。氧化镉(Cd O)作为一种透明导电氧化物材料,具有高导电率和电子迁移率。但其狭窄的光学带隙(2.2 e V)导致其在可见光的短波长方向过早吸收,使其应用具有局限性。而通过Cd