本文对GaN基稀磁半导体材料和GaN薄膜材料缺陷结构进行了分析，所获得的创新性成果如下： 1，通过比较分析，选用金属有机化合物MCP2Mn为Mn源，国内首次采用金属有机化合物(MOCVD)成功生长出了具有室温铁磁性的Ga1-xMnxN材料，并利用MOCVD通过delta掺杂方式成功得到了具有室温铁磁性的Ga1-xMnxN材料。测量分析结果表明：在所生长出的Ga1-xMnxN材料中，Mn含量高达3.8﹪；材料在380K为铁磁性，说明其居里温度高于室温，材料的矫顽力50-100Oe；材料中Mn替代了Ga位，为真正意义上的稀磁半导体材料，这为该材料的进一步研究和应用提供了可靠基础。 2.发现并分析了GaN薄膜材料在长时间退火后其微结构的变化：退火后其平均面外倾斜角(tilt)变小(对应螺型TD密度变小)，而平均面内扭转角(twist)变大(对应刃型TD密度增大)，以及(0002)面内横向相干长度L//变小。 3，发现GaN薄膜材料中的残留应力经长时间退火后得到一定程度的释放，首次确定了不同类型TD对应力的不同的依赖关系：螺型TD的产生和应力没有必然关系，而刃型TD的产生与应力密切相关。该结果对如何降低GaN材料的TD密度有重要的指导意义。 4，利用XRD仔细分析了Si-δ掺杂对不同类型TD密度的影响。发现Si-δ掺杂主要降低刃型TD密度，而对螺型TD密度无明显影响。