论文的第一间对非线性光学的研究背景、基本概念及研究方法作了简单的介绍,并对近年来人们在低维半导体系统中非线性光学的研究所取得的成果进行了综述.并选取了一个非对称的Morse量子阱作为论文的研究对象.论文的第二章研究了Morse势阱中光学整流和电光效应.论文第三章对Morse势阱中吸收系数和折射率改变进行了研究.该章在第二章的基础上利用密度矩阵方法和迭代方法推导了吸收系数和折射率改变的表达式.然后仍以GaAs/AlGaAs Morse量子阱为例,代入参数对吸收系数和折射率改变进行数值计算.结果表明,光吸收系数随入射光强度I的增大而减小,出现饱和吸收现象;且其与势阱参数a有关,随着a的增大而增大;线性折射率改变与入射光强度I无关,而三阶非线性折射率的改变与光强度I密切相关;总的折射率改变随着入射光强度的增大而减小,而随着载流子浓度的增加而增大,随势阱参数a的增大而减小.并且通过比较可观察到吸收系数达到峰值时,各阶折射率的改变为零.所以在吸收系数较小的条件下,可以获得相对较大的折射率改变.论文的第四章首先应用密度矩阵方法推导复光场作用下的线性和非线性极化率的表达式,接着利用图形技术得到了三次谐波产生的表达式,最后引入材料参数理论计算了GaAs/AlGaAs Morse量子阱中的三次谐波系数.在论文的最后一章,我们总结了该论文所研究的主要内容,并列出了我们研究所得到的主要结果与可能得到的实际应用,并对我们以后继续研究的工作做了简单的说明.