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纳米ZnO作为一种非常重要的宽禁带半导体纳米材料,其优良的物理和化学性能,使其受到广大研究人员的青睐。ZnO的掺杂和ZnO基复合纳米结构在诸多领域表现出非常巨大的应用潜力,具有非常广阔的发展前景。本文采用热蒸发法制备了多种形貌的ZnO纳米结构,并对比了蒸发源质量和反应温度对其影响。利用电化学沉积法成功制备出ZnO纳米棒阵列,并对其进行一系列Al3+掺杂实验;同时利用制备的纳米棒阵列作为基底成功合成了ZnO-CdS复合纳米材料。通过XRD、EDS和FESEM对制备出的试样观察期形貌,测试了试样的Raman光谱、PL谱、UV-vis光谱,并对试样的形貌和光学性质进行了分析。本文的主要研究内容和结论如下:1、采用低真空热蒸发法,在1050℃~1200℃范围内,通过控制蒸发源的质量和反应温度,成功制备出带状、节状、刷头状、旗状和线状ZnO纳米材料。ZnO纳米结构的尺寸随着温度的升高而变大。蒸发源过少会导致ZnO纳米结构生长不完全。通过分析Raman光谱、PL光谱,可以发现,温度升高会使ZnO纳米结构结晶度增大,而蒸发源不足也会导致结晶度变差。2、采用低温恒电流电化学沉积法,在ITO导电玻璃上成功制备出ZnO纳米棒阵列。并以ZnO纳米棒阵列为基础,通过控制Al3+浓度,成功制备出不同浓度的Al3+掺杂ZnO纳米结构。随着Al3+浓度的提升,ZnO纳米棒阵列变得稀疏无序,到最后发生根本转变成ZnO纳米花结构。通过分析试样的Raman光谱,PL光谱,我们发现掺杂浓度低时,对ZnO的晶体结构影响较小,而浓度越高,影响会越大;Al3+掺杂浓度越高,ZnO的缺陷能级也越高。3、采用低温恒电流电化学沉积法,在ITO导电玻璃上成功制备出ZnO纳米棒阵列。采用低温恒电压电化学沉积,在ZnO纳米棒阵列上沉积了一层CdS纳米膜,形成ZnO-CdS异质结。