【摘 要】
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该文依据了在原子光吸收过程中产生Fano干涉效应的物理内涵,通过运用组份半导体量子阱和超晶格的"人工裁剪能带"的功能,设计合适的量子阱及超晶格的结构,使其单声子激发能级
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该文依据了在原子光吸收过程中产生Fano干涉效应的物理内涵,通过运用组份半导体量子阱和超晶格的"人工裁剪能带"的功能,设计合适的量子阱及超晶格的结构,使其单声子激发能级落在电子连续统中.详细研究了这类体系中由于电子-声子相互作用,在特定激光频率入射下,体系发生共振Raman跃迁过程中的量子干涉效应.在理论上得到相应的Raman谱的Fano线形,并得到其不对称参量q的解析表达式.实验上有关超晶格中Raman谱的Fano线形得到了极好的验证.另外,该文从理论上分析和计算得到了量子阱中吸收谱的Fano效应,给出了产生Fano线形的阱结构及掺杂条件.关于量子阱超晶格中声子引起的Fano效应的的研究不仅是把Fano线形引入一个新的领域而且是从一个新的角度研究组分量子阱超晶格中的光学性质,声子行为,电子能态及电声子相互作用.
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