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高温压阻式传感器作为微机电系统(Micro-electro-mechanical systems,MEMS)的主要产品因其制作工艺先进,并易于系统化、智能化实现,符合传感器的未来发展方向。已有的研究表明,聚合物转化非晶态SiCN陶瓷具有优秀的电学性能及良好的高温稳定性、抗氧化性、抗蠕变性,是理想的高温压阻传感器材料。本文研究了先驱体制备非晶态SiCN陶瓷的工艺,制备了1000～1400℃不同热裂解温度下的先驱体转化SiCN陶瓷,x射线衍射分析表明1000～1400℃热裂解温度下的SiCN陶瓷均为非晶态。交流阻抗谱的分析显示,SiCN陶瓷由非晶态基质相和碳相两相组成,阻抗谱中高频半圆弧对应碳相,低频半圆弧对应于非晶基质相。导电相碳相的电导率符合阿伦尼乌斯公式,而非晶态基质相的电导率符合非晶态半导体的导电特性。在1000～1400℃热裂解温度下,对SiCN陶瓷进行拉曼光谱分析发现碳相的电导率随热裂解温度增大的原因主要是由于碳相从无序sp2杂化结构向链状sp2杂化结构转变所引起的。介电测试表明,SiCN陶瓷在1300℃热裂解下的介电常数及损耗最大,这是由于非晶态SiCN陶瓷中的游离碳的团簇变为连续相,从而形成渗流结构所致。本文还对传统工艺进行了改进,对比了不同工艺下制备SiCN陶瓷的差异及性能。本实验的意义在于,进一步加深了我们对先驱体转化SiCN陶瓷的显微结构和电学性能的理解和认识,而且对于研究不同热裂解温度对非晶态SiCN陶瓷的电学性能的影响起到了一定的参考作用。