彩色等离子显示器(PDP)作为新一代的显示技术具有非常广阔的应用前景，其专用驱动芯片中应用的高压VDMOS器件和功率集成电路都需要自主研发，芯片制造商也没有成熟的模型支持，所以，建立用于电路仿真的高压VDMOS器件模型成为电路设计成败的关键。 本文深入研究了高压VDMOS器件内部物理机制，在此基础上，建立了高压VDMOS的物理模型。其中，对VDMOS双扩散的沟道区，本文提出了更为符合沟道区中实际情况的假设，即沟道区中横向电场为线性分布而非常数，基于此假设，本文用解析方法求解了沟道区中的横向电场与横向电压分布，从而建立了一个更加稳定有效的VDMOS沟道区模型；对VDMOS的漂移区，根据其电场分布特点和电场对电子迁移率的影响等多方面的考虑，给出了VDMOS物理模型中的关于漂移区纵向电场的微分方程，该方程可以更好地描述漂移区电场分布，更为重要的是，该微分方程虽然较为复杂，但是本文依然用解析方法在整个漂移区范围内求解了该微分方程，而且在电子流动横截面积发生变化的部分中，求解该微分方程而得到的电场分布，没有忽略电子密度分布对电场分布的影响，因此得到了一个更为精确有效的VDMOS漂移区模型。 基于本文的VDMOS物理模型，细致分析了VDMOS中各种电荷分布变化，各种寄生效应，以及漂移区电子流向变化，温度变化和元胞形状等因素的影响，提出了一个VDMOS的等效电路模型。该等效电路模型物理意义完整，精度高，收敛性好，并且考虑了PDP行驱动芯片中VDMOS器件的特殊结构和应用环境。 为了将提出的模型能够用于功率集成电路的设计，本文详细研究了目前能够得到的各种电路模拟软件，最终确定采用成熟可靠的，能够将外部模型嵌入其中的电路模拟软件SABER，而且根据SABER对外部用户自定义模型的具体要求，对模型的不同部分计算和功能实现作了分工，并且对其进行了适当的改造，从而将模型嵌入了电路模拟软件SABER。 为了验证模型的精确性和有效性，按照PDP行驱动芯片中高压VDMOS的工艺条件和结构参数，分别对静态特性和动态特性进行了计算，计算结果与实测值符合的较好，进一步，将模型用于PDP行驱动芯片的设计，该模型很好地预测了电路的性能，指导了芯片的设计，实际的PDP点屏测试结果表明，芯片整体性能可靠，完全能满足PDP系统工作的需要。