【摘 要】
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在有效质量近似下,讨论了GaN／AlxGa1-xN应变柱形量子点中类氢杂质态结合能和外场存在情况下耦合GaN／AlxGa1-xN柱形量子点z方向电子基态波函数.
首先,考虑应变及流体静压力
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在有效质量近似下,讨论了GaN／AlxGa1-xN应变柱形量子点中类氢杂质态结合能和外场存在情况下耦合GaN／AlxGa1-xN柱形量子点z方向电子基态波函数.
首先,考虑应变及流体静压力,利用变分法计算无限高应变柱形量子点中类氢杂质态结合能.结果表明,在量子点尺寸较小情况下,应变增加了杂质态结合能.而在量子点尺寸较大情况下,应变降低了杂质态结合能.随着Al组份的增加杂质态结合能减小.杂质态结合能随着流体静压力的增加而增加.在量子点尺寸较小的情况下,流体静压力对杂质态结合能的影响更明显.
其次,采用转移矩阵法研究外场下耦合柱形量子点z方向电子基态波函数.数值计算结果表明,量子点高度、中间垒层厚度、Al组份含量x、外电场强度对z方向电子基态波函数的影响较大,决定着z方向电子基态波函数的分布情况.
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