在模板上电化学沉积金属及其化合物是近年来发展起来的一种重要的制备纳米线阵列的技术.磁记录、磁光记录作为最为重要的信息存储技术,进一步提高其面密度面临着一个共同的问题--克服超顺磁极限(super paramagnetic limit).为此提出的存储技术有:探针记录(probe recording)、复合记录(hybrid recording)和点阵图样记录(patterned recording)等.将纳米线阵列作为点阵记录介质,从信息记录的视角研究其基础物理和关联的技术问题,具有重要的学术价值和应用价值.在总结前人工作的基础上,该文采用多孔阳极氧化铝(AAO)模板电化学沉积方法制备Co-Ag纳米线阵列,对Co-Ag样品的结构、纳米线阵列的宏观磁性进行了研究,并对单根纳米线的磁电阻特性进行了模拟.论文的主要工作包括以下几个方面.(1)纳米线阵列的制备及结构采用多孔阳极氧化铝模板与电化学沉积相结合的实验方法,成功地制备了Co-Ag纳米线阵列.X射线衍射结果表明,Co-Ag纳米线具有和块体Co-Ag金属相同的晶体结构.对整个纳米线体系退火处理后,观察到了很好的晶面取向.(2)纳米线的几何参数研究了直接决定纳米线直径和长度的氧化铝模板的几何参数与制备条件的关系,获得纳米线的直径、纵横比与氧化电压、氧化温度、氧化时间等的关系.(3)Co-Ag纳米线的宏观磁特性对Co-Ag纳米线的宏观磁特性进行了测试表征.发现纳米线阵列的易磁化方向为纳米线的长度方向,在此方向纳米线有较高的矫顽力和剩磁比;难磁化方向为垂直于纳米线,在此方向样品有较小的矫顽力和剩磁.矫顽力H<,c>、饱和磁化强度M<,s>、剩磁Mr等随着银含量的增加,呈现先增加后减小的变化规律.文中对这些实验现象作了简单合理的解释.(4)Co-Ag纳米线阵列的磁电阻特性探讨根据现有的实验结果,对各种情况下钴银纳米线的磁电阻特性进行了模拟,从中得出了单根纳米线的巨磁阻特性,对以后的实验制备有一定的指导作用.