为了研制高频(2.5GHz)大功率SAW滤波器所需的基底材料-“IDT/AlN/Diamond”多层膜结构，本文建立了“IDT/AlN”结构和“IDT/AlN/Diamond”结构的几何模型，通过有限元分析软件ANSYS的多物理场压电分析模块来分别进行模态分析和谐响应分析，得到如下结论：(1)关于“IDT/AlN”结构，基频谐振频率fr=1.248GHz，反谐振频率fa=1.266GHz；SAW的相速度为5028m/s；有效机电耦合系数K2=0.036；(2)关于“IDT/AlN/Diamond”多层膜结构，基频的谐振频率fr=2.4936GHz，反谐振频率fr=2.5620GHz，IDT换能器有效机电耦合系数：K2=0.058。SAW在“IDT/AlN/Diamond”多层薄膜中的相速度为9911m/s。　　 然后利用超高真空射频磁控溅射反应系统制备了一系列的AlN薄膜。分别考虑不同条件对“(002)AlN/Si”结构薄膜的晶面择优取向影响。本文制备出高度c轴择优取向的“(002)AlN/Si”结构薄膜(FWHM=0.252°)。还讨论了几点影响规律。　　 (1)(002)AlN峰强度随N2浓度增加、溅射功率升高、衬底温度降低而升高，而FWHM则相应的减小；(2)随着靶基距的减小，分别存在两组峰(100)、(002)组与(110)、(103)组的竞争生长现象；(3)从晶面择优取向和膜基结合力来说低真空氮氩封闭原位冷却效果最好，但是其硬度和弹性模量并非最好。综合来说制备“(002)AlN/Si”结构薄膜效果最优的工艺参数为：氮氩比为1:1、溅射功率为350W、衬底温度为300℃、靶基距为5cm，冷却条件为低真空氮氩封闭原位冷却。　　 最后成功的制备了高度择优取向的“(002)AlN/Cu”多层膜和择优取向的“(002)AlN/Diamond”多层膜结构。