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在电力电子系统中，功率器件一直扮演着极其重要的角色，既要有较高的击穿电压，又要有较低的通态压降，而以应用最为广泛的MOSFET为例，两者是一种明显的矛盾关系，超结理论的提出，急剧的缓解了这种关系，从而使得MOSFET器件应用在高压领域成为可能，具有极好的应用前景。本文针对超结结构的优异性，进行了细致的理论研究，并以SJ-MOSFET为主体，仿真设计了一款600V50A的SJ-MOSFET器件，具体而言，本文的主要研究工作和成果如下: (1)对超结器件的理论模型和电荷平衡进行了深入的分析和研究，基于陈星弼教授的二极管超结理论模型，对存在横向和纵向电场的二维泊松方程进行了推导，对超结电容、反向恢复和准饱和效应进行了介绍;对工艺和器件的电荷平衡进行了研究。 (2)基于Sentaurus TCAD仿真软件，仿真设计了一款600V50A的SJ-MOSFET平面栅元胞结构，并进行了电学参数的分析，仿真数据显示了良好的器件性能;针对工艺中非对称pillar的设计需求，建立了非对称的研究分析模型，通过引入影响设计的非对称因子k，分析了k的物理意义和修正了不同pillar比例下的k值来设计相关参数，推导出超结的设计解析表达式。为了验证设计的准确性，进行了仿真验证和比较，理论与仿真结果符合良好，可以用于超结MOSFET的设计指导。 (3)针对超结器件特殊的终端结构，自主设计了两款终端结构，一种为常规的超结终端，另一种为新型的超结终端，新型终端结合了超结柱，场板和场限环结构，场限环在超结柱的上方，通过调整超结柱和场限环的间距，使得终端区电势均匀分布，同时具有较小的终端面积，和超结元胞区的工艺相兼容，无需增加掩膜版，两种终端都达到了预期的击穿电压。 本文通过TCAD仿真，优化了非对称超结的设计理论;基于深槽刻蚀和多步外延填充工艺设计了一款SJ-MOSFET器件，并对器件的电学参数进行了分析讨论;优化设计了一款新型的终端结构，在不增加工艺复杂度的前提下，获得设定的击穿电压，本文的研究对SJ-MOSFET的设计具有较好的指导和参考意义。