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本文通过均相沉淀法研制了三种纳米硫化物：硫化银-硫化铅混晶、硫化银-硫化镉混晶和硫化钡，用透射电子显微镜对纳米粒子进行表征，并对影响纳米硫化物晶体形成的各种因素作了详细和系统的探讨，结果表明，EDTA与金属离子比例R、金属离子初始浓度C0M、溶液的pH值、金属离子的摩尔比r和反应介质醇水比α等对纳米粒子的形成有较大影响，确定了合成纳米硫化物的最佳工艺条件和最佳工艺路线，最佳工艺条件如下：
(1)在室温下，络合剂EDTA与铅离子、银离子形成络合物的比例R为1：1，Ag+初始浓度C0Ag为5.0×10-3mol·L-1、Pb2+初始浓度C0Pb为1.0×10-2mol·L-1，pH为5.0，滴加物质AgNO3与Pb(NO3)2的量之比r为1：1，AgNO3与Pb(NO3)2滴加速度v为5.0ml·min-1及反应介质的醇/水比α为3：1。在此条件下，可制得50nm左右的Ag2S-PbS粒子。
(2)在室温下，络合剂EDTA与镉离子、银离子形成络合物的比例R为1：1，反应溶液pH值为5.0，Ag+与Cd2+的初始浓度C0Cd和C0Ag均为1.0×10-2mol·L-1，Ag+与Cd2+滴加速度v为2.0ml·min-1，Ag+与Cd2+的摩尔比r为1：2，及反应介质的醇水比α为1：1。在此条件下，可制得50nm左右的纳米Ag2S-CdS粒子。
(3)室温下，络合剂EDTA与钡离子浓度比R为2：1、钡离子的初始浓度C0Ba为3.0×10-2mol·L-1，pH为7.0左右，BaCl2溶液的滴加速度v为1.0ml·min-1，反应介质的醇水比α为1：1的条件下，可制得80～90nm的硫化钡粒子。
另外，还利用最佳工艺条件下所制备的Ag2S-PbS、Ag2S-CdS两种纳米硫化物作为活性物质，研制了纳米硫化物的PVC敏感膜电极，确定了最佳膜配比，探讨了纳米PVC膜电极的各项性能。所得结果表明：
(1)纳米硫化-硫化铅混晶的PVC敏感膜的最佳配比(w/w)Ag2S-PbS：PVC：DOP：NaTPB为7.5：30.0：61.5：1.0，纳米硫化银PVC膜电极在1.0×10-1～5.0×10-5mol·L-1范围内呈线性响应，响应斜率为27.4±1mV/pPb，检测下限为2.0×10-5mol·L-1。电极响应时间一般为25秒，当溶液浓度降低至5.0×10-5mol·L-1时，响应时间增加到50-60秒，结果表明NH4+、K+、Na+、Li+、Mg2+、Ca2+、Al3+、Fe3+、Ni2+、Ba2+、Sn2+对电极均无干扰，Zn2+、Mn2+、Fe2+对电极有一定的干扰性，而Cd2+和Hg2+对电极的干扰较大。
(2)纳米硫化银-硫化镉混晶的PVC敏感膜的最佳膜配比(w/w)Ag2S-CdS：PVC：DOP：NaTPB为7.0：30.0：62.0：1.0，此电极在1.0×10-11.0×10-5mol·L-1范围内呈线性响应，响应斜率为26.6±1mV/pCd，电极的检测下限为5.0×10-6mol·L-1；电极的响应时间一般为50-60秒；电极的重现性和稳定性都较好；K+、Na+、Fe2+、Mg2+、Mn2+、Ca2+、Fe3+、Al3+对电极无响应，而Co2+、Ni2+、Zn2+、Cu2+对电极均有一定的干扰，其中Pb2+和Hg2+对电极的干扰较强。