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ZnO是一种具有纤维锌矿结构的半导体材料,作为一种具有宽带隙、低介电常数、高化学稳定性及优异的光电、压电特性的功能材料在许多领域尤其是光电器件领域有着重要应用。本文的ZnO薄膜样品是采用电子束反应蒸镀的方法,在单晶Si(001)及玻璃衬底上低温外延生长了沿c轴高度取向的单晶ZnO薄膜。本文从三个方面入手分析研究了薄膜生长条件(不同的衬底、不同的生长温度)对ZnO薄膜的结构特性的影响,并作了相应的比较。通过对ZnO薄膜的X射线衍射(XRD)光谱分析、采用原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜的原子力显微结