自旋流,即非平衡自旋角动量的定向输运,是目前构建新一代信息存储与处理器件的重要媒介。其中磁性异质结构中自旋流的产生与探测、自旋相关的输运以及自旋与局域磁矩的相互作用等,是目前自旋电子学领域内关注的焦点。自旋霍尔磁电阻（Spin Hall Magnetoresistance SMR）,是磁性异质结构中由于局域磁矩对自旋流的各向异性吸收所导致的一种全新的磁输运现象。由于测试和原理相对简单、可较全面反映自旋流相关性质等特点,目前已经成为了一种研究磁性异质结构中自旋流产生和输运的有效方法。虽然SMR最早提出于磁性绝缘体异质结中,但由于目前广泛研究的的自旋电子学器件主要基于金属磁性薄膜,因此全金属异质结构中的自旋霍尔磁电阻在近些年得到广泛关注。但是由于铁磁金属薄膜本身存在着较为复杂的磁输运现象,全金属异质结构中的SMR变得很复杂。因此,研究全金属异质结构中SMR的新方法,对于深入认识自旋输运和作用机理,推动基于自旋流的信息记录与处理器件实用化是重要的。本文采用具有垂直各向异性的Pt/[CoNi]n多层膜体系,基于SMR界面性质的特点有效分离了铁磁金属体内的磁输运与SMR效应;利用自旋力矩铁磁共振方法,独立表征了该体系中自旋流的产生和力矩效应,并通过与磁输运测试结果的相互印证,开展了全金属异质结构中SMR效应的研究,取得的主要结论如下:1.磁电阻测量的实验结果验证了该体系中垂直于电流的平面内界面磁电阻的贡献不存在SMR,从该平面内直接测量SMR的方法对于金属磁性异质结构不再适用,需要仔细考虑铁磁体对自旋磁输运产生的影响。2.根据自旋力矩铁磁共振的实验结果,我们发现在金属异质结构中自旋流的产生以及自旋轨道力矩的出现与体系SMR的大小没有必然联系。结合Elliott-Yafet机制,从铁磁体中自旋散射机理出发对该现象进行了定性解释。