【摘 要】
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本文通过理论分析和软件模拟，设计了InGaAs/GaAs材料的半导体外延结构。利用LP_MOCVD（低压金属有机化学气相沉积）系统进行实验生长，通过对比试验和常温PL（光荧光）测试，详细讨论了量
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本文通过理论分析和软件模拟，设计了InGaAs/GaAs材料的半导体外延结构。利用LP_MOCVD（低压金属有机化学气相沉积）系统进行实验生长，通过对比试验和常温PL（光荧光）测试，详细讨论了量子阱中In的组分、生长速率、生长温度、Ⅴ/Ⅲ比值和衬底偏向角度等条件对样品发光特性的影响。经测试，样品在常温下PL发光FWHM（半峰宽）可以达到15.2nm。 在原有结果基础上设计了GaInP应变缓冲层和GaAsP应变补偿势垒层，来进一步改善样品的发光特性。通过实验和PL测试，确定GaInP的生长条件，该条件下GaInP室温下PL发光FWHM可以达到12.8nm。详细讨论了势垒生长温度、衬底偏向角和Ⅴ/Ⅲ比值对GaAsP生长质量的影响，探究了GaAsP的最佳生长条件，在该条件下，GaAsP的常温PL测试FWHM可以达到25.4nm。
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