该论文采用化学方法制备出不同粒度的纳米晶硫化锌,并通过有机包覆的方法对纳米颗粒进行了表面修饰.采用水热合成的方法实现了三价稀土离子在半导体纳米晶中稳定的掺杂,解决了稀土离子因半径大、电荷高不易掺入Ⅱ-Ⅳ族半导体基质中的问题,对制备的样品进行了不同方式的表征并研究了其光致发光特性.采用原位高压及同步辐射能量色散X射线衍射技术研究了半导体纳米晶硫化锌、氮化镓及硅化铁纳米晶的压结构相变,并与相应的体材料的结果进行了对比分析.结果表明,纳米晶的相变压力高于相应的体材料,并随颗粒粒度的变化而变化.在纳米硅化铁的压致结构相变研究中发现一未见报导的新相.此外Ⅱ-Ⅳ族及Ⅲ-V族半导体材料的压致结构相变机制进行了分析.采用在金刚石压砧表面制备金属电极的技术,构造了高压电学测量装置,解决了传统高压电学测量中的困难,并对半导体纳米硫化锌进行了高压电学性质的研究.结果表明,高压下发生半导体到金属的相变,相变压力高于相应的体材料相变压力,对金属化相变的起源及理论预言的中间相的存在进行了分析.