为了满足日益增长的消费电子产品、光电产品以及智能化的建筑材料的需求,寻找一种更加廉价同时拥有优异性能的透明导电氧化物(TCO)成为当下研究的热点。氧化铟锡(Iindium Tin Oxide)是目前应用最为广泛并且性能最好的透明导电材料,但是,金属铟价格高昂,而且其生产工艺也很复杂。因此,相对廉价的锑掺杂氧化锡(ATO)透明导电材料变成了首选的材料,它不仅价格低廉,同时,在某些性能方面还要优于其他透明导电材料(比如掺杂Zn O和ITO)。静电纺丝法是一种简单、新颖、高效以及相对经济的制备纳米材料的方法,可以制备出超细的纳米纤维,以及通过纳米纤维制备出超细纳米粉末。本文利用静电纺丝法成功制备出结构以及导电性能良好的ATO纳米纤维、纳米短纤维以及纳米颗粒,并且研究了影响其结构以及性能的因素,对其结构以及性能进行了表征。本文将高分子聚合物聚丙烯腈(PAN)溶解于有机溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF),然后加入无机金属盐五水合四氯化锡(Sn Cl4·5H2O)与三氯化锑(Sb Cl3)制备成前驱体溶液。研究了PAN浓度、盐的含量、喷头直径等对前驱体纳米纤维结构的影响;然后通过煅烧前驱体纤维而得到ATO纳米纤维,并且研究了煅烧温度、时间以及加热速度对于纳米纤维的结构以及结晶性的影响。再将获得的ATO纳米纤维经过研磨制备出超细ATO纳米粉末以及纳米短纤维,研究并且探讨了ATO纳米材料的导电性、颗粒度等的影响因素,如温度、Sb Cl3含量等。利用悬浊液的沉降得到的纳米粉末的分散性,透射电子显微镜可以直观的表征出ATO纳米颗粒的粒径。通过静电纺丝技术制备出的纳米粉末有着良好的导电性能、分散性、结晶性,其直径可以达到20nm以下。最后得到最优ATO纳米粉末制备工艺参数是当Sb Cl3占五水合四氯化锡(Sn Cl4·5H2O)与三氯化锑(Sb Cl3)总质量比为7 wt%,并且煅烧温度为700℃,升温速度不超过5℃/min,通过研磨1 min可以得到长度不超过1000 nm直径大致低于500 nm的纳米短纤维,以及直径达15 nm的ATO纳米粉末。煅烧温度为700℃,Sb Cl3的盐参杂浓度为7 wt%时,其电阻率可以达到0.7207Ω·cm。