FDTD法分析微带天线阵和光器件

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该文对时域有限差分法(FDTD)的吸收边界问题进行了探讨和研究,并用FDTD法对微带 天线阵和光器件进行了模拟.该文的主要工作有以下几个方面:1.介绍了修正的完全匹配层(MPML)的产生背景,并对MPML吸收边界的特点和使用方法进行了简单的叙述.通过加辅助变量的方法,推导了用于截断损耗介质的MPML方程;2.首次用FDTD法结合MPML吸收边界条件对1×16的微带天线阵进行了全波、一全化的时域分析.比较了有限阵和周期阵频域上各特性 参数的区别;3.为了减少计算内存和计算时间,使用压缩2D-FDTD在二维上分析了电光调制 器中的共面波导(CPW)结构.并进一步结合表面阻抗边界条件(SIBC)和French-Curve fitting法对有厚度、有金属损耗的CPW进行了分析;4.在三维空间中推导了覆盖在可擦写光盘表面的各向异性复杂介质的FDTD方程.利用推导出的方程,提取了光盘表面近场的分布图.
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