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该论文采用二次阳极氧化技术制备出了具有高度有序纳米阵列孔的AAO模板.采用溶胶-凝胶法和水热法对稀土发光材料M<,2>O<,3>:RE<3+>(M=Y,Gd;RE=Eu,Tb)体系进行了AAO组装,得到了纳米线、纳米管及其纳米线阵列.对AAO模板和组装样品的形貌、结构和光谱性质进行了表征,得到了一些令人感兴趣的研究结果,其主要的结果和结论总结如下:(1)采用二次阳极氧化法制备出了孔径约为50nm、35nm和20nm等系列高度有序纳米阵列孔的基体铝支持的AAO模板和独立支撑的AAO模板.(2)XRD测试结果表明:退火后的基体铝片,其331晶面优先结晶生长,这有利于高度有序纳米阵列孔AAO模板的制备.(3)未退火的基体铝支持的AAO模板,在350~600nm范围内发出较强的蓝光,其峰值波长位于435nm.该蓝光发射带经过程序控温慢慢退火后完全消失,这说明它产生于缺陷发光中心.(4)采用溶胶-凝胶法,利用AAO模板首次合成出了(Y<,0.95>RE<,0.05>)<,2>O<,3>(RE=Eu,Tb)纳米线及其阵列,并通过SEM、EDX、TEM、SAED、XRD和PL分析测试加以确认.(5)首次观察到利用溶胶-凝胶法组装的一部分M<,2>O<,3>:RE<3+>(M=Y,Gd;RE=Eu,Tb)样品,沿着AAO模板阵列孔壁的边沿所形成的网状结构,并初步地探讨了其形成的机理.(6)对于M<,2>O<,3>:RE<3+>(M=Y,Ge;RE=Eu,Tb)体系,仅仅依靠毛细作用是难以充分地将溶胶前驱液组装进AAO模板的阵列孔中.(7)首次利用水热合成法,在中性条件介质下,将(Y,Gd)<,2>O<,3>:Eu<3+>样品充分地组装进了AAO模板的纳米孔道中,这说明水热产生的高压可以作为AAO模板组装样品的驱动力.(8)以M<,2>O<,3>:RE<3+>(M=Y,Gd;RE=Eu,Tb)溶胶或氢氧化物沉淀作为前驱物,分别在酸性和碱性条件下,进行了AAO模板水热合成组装.