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在近来的十几年里,二硫化钼(MoS_2)作为新兴的二维材料吸引了大量的理论和实验性研究。它独特的性质使它在场效应晶体管、电子设备、传感器、储能和催化等领域都具有巨大的应用价值。面对越来越多的应用,急需开发一种可大量生产高质量MoS_2的简单制备工艺。本文中,使用剪切剥离法来大规模制备片层MoS_2,通过优化不同剪切条件(活性剂种类、活性剂的浓度、剪切时间、电机转速、溶液体积),制得了大量的单片层MoS_2。剪切剥离最佳参数为:表面活性剂为柠檬酸钠,表面活性剂浓度为6 mg/mL,转速为12000 r