自八十年代以来，随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积等技术的发展，低维半导体材料得以广泛应用。因为杂质对于材料中的电子输运及光学性质都有重要的影响，所以低维半导体材料中的杂质态的各种性质研究引起了广泛关注。其中，量子阱线中杂质态的性质主要集中在量子线的尺寸对杂质束缚能的影响。 在研究出两种较匹配的材料组成的半导体超晶格时，因为像势的影响是较小的，所以人们在计算中都忽略了它的影响。近几年来，出于晶体生长技术的发展，已经有可能生长出不匹配的两种不同材料组成的超晶格，对于这样的超晶格，像势的影响就不能忽略了。 在前人对在量子阱中像势对类氢杂质束缚能的影响的研究基础上我们采用吏什法，在有效质量近似下()()了由于介电常数的失配而产生的像电荷对于量子阱线内类氢杂质基念束缚能的影响，计算了无限深InAs/GaAs和GaAs/Ga1-x()()(x=0.4)方形无限深量子阱线模型中类氢杂质的基态束缚能，我们把计算得到的类氢杂质的基态束缚能与量子阱中的结果进行了比较，并得出了以下的结论： (1)相对于量子阱中的结果，像势对于量子线中杂质基态束缚能的影响明显大得多。 (2)杂质位于量子阱线中的不同位置时，像势对杂质基态束缚能的影响是不同的，当杂质越接近线的几何中心，像势的影响也越大。 (3)对于介电常数失配较小的量子阱线，像势对杂质束缚能的影响也是很可观的，计算时不能忽略。 (4)自像势对量子阱线中杂质基态束缚能的影响不大，计算时时可以忽略。