ZigBee是一种新兴的短距离、低速率无线网络技术，是IEEE802.15.4技术的商业名称。由于ZigBee网络省电、可靠、成本低、容量大等诸多优点，已经发展成为当今最热门的短距离无线通信技术之一。随着ZigBee硬件和软件在市场上的陆续出现，可以预期很快市场上将出现真正的ZigBee产品。 在CMOS、BiCMOS、双极工艺、GaAs等众多工艺中，CMOS工艺最成熟、成本最低、功耗最小、应用最为广泛，且随着技术水平的提高，CMOS的频率特性和噪声特性也逐渐得到改善，因此尺寸不断缩小的CMOS工艺技术，必将取代传统工艺成为发展主流。近年来，随着特征尺寸的不断缩小，深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到了100GHz以上，使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟电路成为可能。 另一方面，无线通信广泛应用的一个条件是低成本，这就要求更高的集成度以减少元件数目、缩小产品体积和缩短产品开发时间。于是，采用单一工艺集成数字信号处理器、微处理器以及射频前端电路，实现片上系统(System-on-a-Chip，SoC)成为理所当然的选择。由于CMOS工艺的低成本优势，用CMOS工艺实现射频通信SoC非常具有吸引力。 正是在这—ZigBee飞速发展，用CMOS工艺实现GHz频段射频集成电路兴起的时期，本文详细讨论了ZigBee射频接收机前端重要电路模块—低噪声放大器(LNA)的设计，并采用SMIC 0.18岬RF-CMOS工艺，设计了一个符合IEEE802.15.4标准，适应于ZigBee射频接收机前端的2.4GHz低噪声放大器(LNA)。