【摘 要】
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研究了冷却模拟电子芯片时的局部沸腾换热特性.研究内容包括池内自然对流和核态沸腾换热,自由表面射流以及浸没射流的单相对流换热和核态沸腾换热.重点研究了自由表面射流冲
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研究了冷却模拟电子芯片时的局部沸腾换热特性.研究内容包括池内自然对流和核态沸腾换热,自由表面射流以及浸没射流的单相对流换热和核态沸腾换热.重点研究了自由表面射流冲击沸腾起始点,临界热流密度和充分发展的核态沸腾等工业应用上最为关心的问题,详细分析了射流速度,液体过冷度,喷嘴到壁面间距,喷嘴和芯片尺寸,实验程序以及不可凝气体等对它们的影响,得出了不同条件下的多条沸腾曲线,并把射流冲击与池沸腾进行了比较.根据实验数据拟合出了核态沸腾阶段热流密度与壁面过热 度,驻点换热系数与热流密度,驻点换热系数与壁面过热度,临界热流密度与韦伯数等关联式以供工程应用参考.
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