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基于ReaxFF的铜CMP微观化学作用和材料去除研究
【摘 要】
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铜互连技术的发明、发展在集成电路技术发展中有着非常重要的地位,其中化学机械抛光(CMP)是铜互连技术中获得全局或局部平坦化的最常用技术手段。目前对于铜CMP的研究主要是以实验研究为主,但在这一过程中对于化学反应机制和材料去除形式的解释还不够明确。因此本文采用基于ReaxFF的反应分子动力学方法,借助可视化软件实时监测铜CMP过程,从原子角度来描述其中的微观化学反应、原子结合方式和材料去除等,在一定
【机 构】
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大连理工大学
【出 处】
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大连理工大学
【发表日期】
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2019年01期
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