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本研究采用射频反应磁控溅射法,分别在玻璃基片上制备了Tb掺杂Cu3N薄膜和TiN薄膜,采用表面形貌仪、X射线衍射仪、X射线能谱仪、四探针电阻率测试仪、紫外-可见分光光度计等设备对薄膜的成份、结构、热稳定性以及电学性能和光学性能进行了表征,并对表征结果进行了详细分析,得到以下结论:Tb的掺入对Cu3N薄膜的沉积速率没有明显的影响;Tb的掺入使Cu3N薄膜x射线衍射图谱(111)晶面衍射峰向高角度移动,但Cu3N薄膜始终沿(111)晶面择优生长,因此Tb的掺入并未使Cu3N薄膜结构发生显著改变