本文通过分析SiGe材料的优越性能与半超结结构的各项优势,并将二者结合在一起研究了半超结SiGe功率二极管,可适应高频化电力电子电路对于功率二极管的各项要求,从而显著提高器件的各种特性,并且将其与常规结构的二极管进行了特性模拟和比较,给出了关键参数的设计方法。此外,还在半超结SiGe功率二极管的结构基础上提出了一种辅助层渐变式掺杂的新型结构,分析了新结构的各项特性与关键参数的对特性的影响情况。主要研究工作如下:　　首先,研究了SiGe材料基本性质,并且与常规的Si二极管进行特性比较。结果表明,p+(SiGe)-n--n+异质结开关功率二极管具有低的正向压降,快而软的恢复特性,性能远远优于Si的同类型结构。　　其次,分析了超结功率二极管的击穿机理,各项特性及其影响因素。讨论了电荷非平衡对SJ击穿电压的影响,对影响其特性的参数进行了研究分析,给出了参数的优化设计。　　第三,结合SiGe材料的优越性能与半超结结构的各项优势,研究了半超结SiGe功率二极管。与常规结构的二极管进行特性模拟和比较,探讨了影响器件特性的关键因素—底端辅助层的厚度浓度和Ge含量,给定了优化的结构参数。　　最后,在半超结SiGe功率二极管的结构基础上提出了一种辅助层渐变式掺杂的新型结构,对于不同渐变层数的器件特性进行比较。并且对影响新结构特性的参数进行讨论分析,给定了较为优良结构参数。从而在保持原有导通特性的基础上,使得反向恢复特性在原先的基础上得到了较大的提高,有利于降低器件的功耗,进而扩展了在电力电子应用中的前景。