【摘 要】
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电子俘获材料作为一种新型的光存储介质因为能实现高达10byte/cm的存储密度和具有ns级的响应时间,而被视为最有可能替代现有光存储的新生代材料之一.目前研究比较多的是MFX:E
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电子俘获材料作为一种新型的光存储介质因为能实现高达10<12>byte/cm<2>的存储密度和具有ns级的响应时间,而被视为最有可能替代现有光存储的新生代材料之一.目前研究比较多的是MFX:Eu(M=Ca,X=CI,Br,I)和MS:Eu,Sm,Ce(M=Ca,Sr)系列光存储材料. 然而这两类材料有着一个共同的缺点,就是读出光衰减较快.因此有必要开发新的材料来填补这个空缺.研究人员选择具有很好热释光性质的碱金属卤化物稀土掺杂材料作为研究对象.研究人员自行设计了制备流程,并通过比较光致发光强度选定了合适的制备条件和最佳的稀土掺杂深度.由此制备出了KCI:Eu<2+>,NaCI:Eu<2+>,KBr:Eu<2+>,KCI<,x>Br<,1-x>:Eu<2>多晶粉未样品.研究人员研究了上述样品的光致发光和光激励发光性能,测试了样品的发射谱,激发谱,光激励谱和光激励发光谱,发现碱金属卤物稀土材料具有较好的光激励发光属性.通过分析得到发光中心是Eu<2+>离子,电子陷阱是阴离子空位.
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