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【摘 要】
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利用独具特色的准低温分子束外延生长技术,生长出高质量的GaAs/AIGaAs多量子阱 光折变材料.研究了材料准低温生长过程中包括衬底温度和III/V束流比在内的生长条件与 深能纺缺
【机 构】
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中国科学院物理研究所
【出 处】
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中国科学院物理研究所
【发表日期】
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2000年期
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